一种LED芯片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种LED芯片及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该LED芯片包括衬底、外延层与芯片层，芯片层包括电流阻挡层、透明导电层、钝化层与电极层，电极层包括N型电极与P型电极；其中，电流阻挡层设于P型半导体层之上，电流阻挡层为非连续性结构，包括多个间隔设置的电流阻挡块，透明导电层设于电流阻挡层之上并在相邻电流阻挡块之间与P型半导体层接触，设于透明导电层之上的钝化层贯穿设有与电流阻挡块相对的钝化层通孔，设于钝化层之上的P型电极至少部分通过钝化层通孔与透明导电层接触。本发明专利技术旨在解决现有技术中位于钝化层底部的电流阻挡层区域存在遮光，影响LED芯片发光亮度的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，具体涉及一种led芯片及其制备方法。

技术介绍

1、led(light emitting diode，发光二极管）是一种能将电能转化为光能的半导体发光器件。随着led芯片制造技术的发展与进步，逐渐成为继白炽灯和荧光灯之后的新型主流照明光源，具有体积小、反应快、寿命长、环保节能等优点，被广泛应用于照明、显示屏等领域。

2、目前市场上的照明灯具，用的主流芯片还是正装led芯片，通过打线方式实现电源连接。其结构由外延层和芯片层组成，外延一般包含衬底、n型半导体、量子阱、p型半导体；芯片结构从下往上依次为电流阻挡层、透明导电层、电极与钝化层。

3、现有技术中，在电极位置，需要对钝化层进行开孔，在开孔位置，底部需要设置电流阻挡层，否则电流会直接从电极垂直流向外延层而达不到横向均匀性传导作用，而非钝化层开孔位置，本身已有钝化层起到阻挡作用，其底部的电流阻挡层的存在没有意义，但这部分电流阻挡层存在遮光，影响led芯片的发光亮度。

技术实现思路

1、针对现有技术的不足，本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括衬底、外延层与芯片层，所述外延层包括依次层叠于所述衬底之上的N型半导体层、发光层与P型半导体层，所述芯片层包括电流阻挡层、透明导电层、钝化层与电极层，所述电极层包括N型电极与P型电极；

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述钝化层通孔与所述电流阻挡块的中心重叠。

3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述P型电极的宽度为2μm-6μm；

4.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，任意相邻两个所述钝化层通孔之间的间距为6μm-18μm，所述钝化层通孔与所述钝化层的面积比为1：...

【技术特征摘要】

1.一种led芯片，其特征在于，所述led芯片包括衬底、外延层与芯片层，所述外延层包括依次层叠于所述衬底之上的n型半导体层、发光层与p型半导体层，所述芯片层包括电流阻挡层、透明导电层、钝化层与电极层，所述电极层包括n型电极与p型电极；

2.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述钝化层通孔与所述电流阻挡块的中心重叠。

3.根据权利要求2所述的led芯片，其特征在于，所述p型电极的宽度为2μm-6μm；

4.根据权利要求3所述的led芯片，其特征在于，任意相邻两个所述钝化层通孔之间的间距为6μm-18μm，所述钝化层通孔与所述钝化层的面积比为1：4-2：3。

5.根据权利要求4所述的led芯片，其特征在于，所述电流阻挡块的宽度为边缘间距所述p型电极边缘3μm-8μm，所述电流阻挡块的长度为边缘间距所述钝化层通孔边缘2μm-7μm。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：张星星，张雪，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：