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本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种具有特定P型发射极的背接触电池及制作和应用，包括硅片，在硅片背面交替设置的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层包含钝化层和N型掺杂硅层，第二半导体层包含本征硅层，第二半导体层还包含在本征硅层的远...
该专利属于福建金石能源有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建金石能源有限公司授权不得商用。

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