具有特定P型发射极的背接触电池及制作和应用制造技术

本发明专利技术属于背接触电池技术领域，具体涉及一种具有特定P型发射极的背接触电池及制作和应用，包括硅片，在硅片背面交替设置的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层包含钝化层和N型掺杂硅层，第二半导体层包含本征硅层，第二半导体层还包含在本征硅层的远离硅片的一侧表面上依次设置的P型微晶碳化硅层和P型微晶硅层，形成P型发射极，沿远离硅片背面的方向上，P型微晶碳化硅层和/或P型微晶硅层的有效掺硼浓度按照分层结构逐渐递增，分层结构不低于5层，P型微晶碳化硅层的厚度为3‑6nm。本发明专利技术采用特定结构的P型发射极，有利于提升电池的开路电压，提升薄膜导电性，提升电池的填充因子和转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于背接触电池，具体涉及一种具有特定p型发射极的背接触电池及制作和应用。

技术介绍

1、现有的背接触电池包含n型单晶硅片，依次设在该硅片正面的金字塔绒面上的本征非晶硅层、一层增透层（减反层），依次设在硅片背面p区表面的本征非晶硅层、p型非晶硅层、透明导电膜层、金属栅线层，依次设在硅片背面n区表面的本征非晶硅层、n型非晶硅层、透明导电膜层、金属栅线层。现有技术中，p型非晶硅的沉积工艺条件为：预设pecvd成膜温度180-200℃，然后通入硅烷、乙硼烷、氢气的混合气体，反应气体压力为40-90pa，乙硼烷流量为硅烷流量的5%-10%；p型非晶硅膜厚为8-15nm。

2、然而，p型非晶硅层载流子迁移率低、杂质和缺陷较多，导电性较差，从而影响电池效率。

3、需要说明的是，本专利技术的该部分内容仅提供与本专利技术有关的
技术介绍
，而并不必然构成现有技术或公知技术。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是为了克服现有技术存在的p型非晶硅层影响电池效率的缺陷，提供一种具有特定p型发射极的背接触本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有特定P型发射极的背接触电池，包括硅片，在硅片背面交替设置的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层包含钝化层和N型掺杂硅层，第二半导体层包含本征硅层，其特征在于，第二半导体层还包含在本征硅层的远离硅片的一侧表面上依次设置的P型微晶碳化硅层和P型微晶硅层，形成P型发射极，沿远离硅片背面的方向上，P型微晶碳化硅层和/或P型微晶硅层的有效掺硼浓度按照分层结构逐渐递增，分层结构不低于5层；且P型微晶碳化硅层的晶化率为20%-40%，P型微晶硅层的晶化率为40%-80%；其中，P型微晶碳化硅层的厚度为3-6nm，P型微晶碳化硅层和P型微晶硅层、本征硅层的厚度之比为1：5-10：1.5-...

【技术特征摘要】

1.一种具有特定p型发射极的背接触电池，包括硅片，在硅片背面交替设置的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层包含钝化层和n型掺杂硅层，第二半导体层包含本征硅层，其特征在于，第二半导体层还包含在本征硅层的远离硅片的一侧表面上依次设置的p型微晶碳化硅层和p型微晶硅层，形成p型发射极，沿远离硅片背面的方向上，p型微晶碳化硅层和/或p型微晶硅层的有效掺硼浓度按照分层结构逐渐递增，分层结构不低于5层；且p型微晶碳化硅层的晶化率为20%-40%，p型微晶硅层的晶化率为40%-80%；其中，p型微晶碳化硅层的厚度为3-6nm，p型微晶碳化硅层和p型微晶硅层、本征硅层的厚度之比为1：5-10：1.5-4。

2.根据权利要求1所述的具有特定p型发射极的背接触电池，其特征在于，p型微晶硅层的晶化率大于p型微晶碳化硅层的晶化率。

3.根据权利要求2所述的具有特定p型发射极的背接触电池，其特征在于，p型微晶硅层与p型微晶碳化硅层的晶化率之比为1.5-4：1。

4.根据权利要求1所述的具有特定p型发射极的背接触电池，其特征在于，p型微晶碳化硅层的第一层有效掺硼浓度在1e18cm-3-3e19cm-3、最后一层有效掺硼浓度在1e19cm-3-8e20cm-3，p型微晶硅层的第一层有效掺硼浓度在5e18cm-3-5e19cm-3、最后一层有效掺硼浓度在5e19cm-3-5e21cm-3。

5.根据权利要求1所述的具有特定p型发射极的背接触电池，其特征在于，p型微晶碳化硅层和p型微晶硅层的对应分层结构各自独立地在8-15层，和/或，p型微晶硅层的厚度为15-40nm。

6.根据权利要求1所述的具有特定p型发射极的背接触电池，其特征在于，p型微晶碳化硅层、p型微晶硅层的有效掺硼浓度各自独立地满足：p型微晶碳化硅层的分层结构中相邻两层的有效掺硼浓度之差绝对值在5e18cm-3-5e20cm-3，p型微晶硅层的层结构中相邻两层的有效掺硼浓度之差绝对值在1e19cm-3-1e21cm-3。

7.根据权利要求1所述的具有特定p型发射极的背接触电池，其特征在于，所述具有特定p型发射极的背接触电池还包括p型非晶硅膜，p型非晶硅膜设置在所述p型微晶硅层的远离p型微晶碳化硅层的一侧外表面，p型非晶硅膜与p型微晶碳化硅层和p型微晶硅层共同形成p型发射极，p型微晶碳化硅层的厚度和由p型微晶硅层和p型非晶硅膜形成的总厚度之比为1:5-10，p型微晶硅层和p型非晶硅膜的厚度之比为6-12:1。

8.根据权利要求7所述的具有特定p型发射极的背接触电池，其特征在于，p型非晶硅膜的膜厚为2-5nm，p型微晶硅层的厚度为15-35nm；

9.根据权利要求7或8所述的具有特定p型发射极的背接触电池，其特征在于，p型非晶硅膜的有效掺硼浓度在3e19cm-3-5e20cm-3，和/或，p型微晶硅层的晶化率为50%-80%。

10.根据权利要求1所述的具有特定p型发射极的背接触电池，其特征在于，所述具有特定p型发射极的背接触电池还具有如下结构：

11.根据权利要求1所述的具有特定p型发射极的背接触电池，其特征在于，所述具有特定p型发射极的背接触电池还包括在硅片正面依次设置的第三半导体层和减反层。

12.根据权利要求11所述的具有特定p型发射极的背接触电池，其特征在于，第三半导体层包含...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾清华，张宏，王玉华，张津燕，
申请(专利权)人：福建金石能源有限公司，
类型：发明
国别省市：