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一种微米SiC空心管及其制备方法和应用技术
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文档序号:43384002
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本发明公开一种微米SiC空心管及其制备方法和应用,该方法将二维碳材料间隔排列固定于气相沉积设备中,通入硅碳前驱体进行气相沉积,制得负载有SiC的二维碳材料;然后在空气气氛中,对所述负载有SiC的二维碳材料进行热处理,制得所述微米SiC空心管...
该专利属于西北工业大学所有,仅供学习研究参考,未经过西北工业大学授权不得商用。
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