温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了用于制造包括半导体器件的装置的装置和技术。该半导体器件可包括一个或多个静态随机存取存储器(SRAM)晶体管，每个静态随机存取存储器(SRAM)晶体管包括第一栅极间隔件结构；一个或多个逻辑标称晶体管，每个逻辑标称晶体管包括第二栅极...
该专利属于高通股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过高通股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。