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本发明提供了一种方石英栅氧介质层的制备方法，可应用于半导体技术领域。该方法包括以下步骤：准备4H碳化硅待氧化样品，高温加热使其表面氧化，生成初始方石英氧化层；以及退火处理初始方石英氧化层，得到氧化后的4H碳化硅。采用氧化与退火工艺制备全覆盖...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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