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本发明涉及一种抑制晶圆刻蚀后光刻胶起泡的方法，包括晶圆刻蚀后Dechucking工艺，其特征在于：在Dechucking的反应气体氩气中添加氧气，工艺参数设置为：氩气量300‑400sccm，氧气流量10‑30sccm，反应压力150‑25...
该专利属于安徽北方微电子研究院集团有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽北方微电子研究院集团有限公司授权不得商用。

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