一种抑制晶圆刻蚀后光刻胶起泡的方法技术

本发明专利技术涉及一种抑制晶圆刻蚀后光刻胶起泡的方法，包括晶圆刻蚀后Dechucking工艺，其特征在于：在Dechucking的反应气体氩气中添加氧气，工艺参数设置为：氩气量300‑400sccm，氧气流量10‑30sccm，反应压力150‑250mT，射频功率200‑300W，工艺时间30‑60s。本发明专利技术有益效果：本发明专利技术所述的方法可有效解决刻蚀后光刻胶起泡的问题，解决起泡所带来的晶圆表观损伤；此方法工艺简单，成本低廉，无新增工序，可靠性极高，保证了器件表观。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微纳制造，涉及一种抑制晶圆刻蚀后光刻胶起泡的方法。

技术介绍

1、在微纳制造过程中，晶圆经过光刻、刻蚀、注入、氧化等工艺实现多层次的加工和结构的复杂组合，其中干法刻蚀作为晶圆图形化的主要工序，原理是辉光放电将反应气体电离产生等离子，被刻蚀物质与等离子发生物理、化学反应从而被去除，由于干法刻蚀过程中大量高能粒子轰击晶圆表面会造成晶圆表面温度升高而影响刻蚀形貌，因此需对晶圆固定并在晶圆背面吹扫氦气以散热。

2、早期固定晶圆使用机械夹持的方式，这种方式存在wafer edge不均一、机械运动引起颗粒的问题，为了解决机械夹持的缺点，专利技术了静电吸附的吸附方式，esc-electrostatic chuck。esc- electrostatic chucking利用电容两个电极板的库伦引力来固定晶圆，这种晶圆正面无接触的固定方式解决了机械夹持的wafer edge不均一和颗粒问题。esc- electrostatic chucking方式好处明显但需额外增加dechucking过程以解除esc对晶圆的吸附，此过程需对晶圆表面施加惰性气体（本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抑制晶圆刻蚀后光刻胶起泡的方法，包括晶圆刻蚀后Dechucking工艺，其特征在于：在Dechucking的反应气体氩气中添加氧气，工艺参数设置为：氩气量300-400sccm，氧气流量10-30sccm，反应压力150-250mT，射频功率200-300W，工艺时间30-60s。

2.根据权利要求1所述一种抑制晶圆刻蚀后光刻胶起泡的方法，其特征在于：所述氩气量320-350sccm，氧气流量10-15sccm，反应压力200-250mT，射频功率250-300W，工艺时间30-45s。

3.根据权利要求1所述一种抑制晶圆刻蚀后光刻胶起泡的方法，其特征在于...

【技术特征摘要】

1.一种抑制晶圆刻蚀后光刻胶起泡的方法，包括晶圆刻蚀后dechucking工艺，其特征在于：在dechucking的反应气体氩气中添加氧气，工艺参数设置为：氩气量300-400sccm，氧气流量10-30sccm，反应压力150-250mt，射频功率200-300w，工艺时间30-60s。

2.根据权利要求1所述一种抑制晶圆刻蚀后光刻胶起泡的方法，其特征在于：所述氩气量320-350sccm，氧气流量10-15sccm，反应压力...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋吉递，常赟，冯乾坤，
申请(专利权)人：安徽北方微电子研究院集团有限公司，
类型：发明
国别省市：