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本发明涉及半导体材料的技术领域，公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，所述外延片包括衬底，在所述衬底上依次层叠的缓冲层、非掺杂GaN层、n型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层和p型半导体层；其中，所述n型半导体层包括由下至上依次层叠的C‑...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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