一种发光二极管的外延片及其制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体材料的技术领域，公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，所述外延片包括衬底，在所述衬底上依次层叠的缓冲层、非掺杂GaN层、n型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层和p型半导体层；其中，所述n型半导体层包括由下至上依次层叠的C‑Si共掺杂含镓氮化物层、第一Si掺杂/第二Si掺杂含镓氮化物层和非掺杂/第三Si掺杂含镓氮化物层。实施本发明专利技术，可以提供足够的Si掺杂浓度，同时使n型半导体层的晶体质量高，LED器件的亮度高，发光效率高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体材料的，尤其涉及一种发光二极管的外延片及其制备方法。

技术介绍

1、高亮度发光二极管，即hb-led（high brightness light emitting diode），是一种通过同质p-n结或异质结电注入，自发辐射并发射非相干光的发光器件、无阈值器件。高亮度发光二极管是一种新的固体光源，具有体积小、效率高、功耗小、寿命长、使用方便安全、抗机械冲击和振动强等优点，在通讯、交通、室外的大屏幕显示等有着广阔的应用前景，特别是高亮度的蓝光led技术、绿光led技术和白光led技术的突破，使led的应用范围不断拓宽，已成为本世纪极具发展潜力的电子产品。

2、本征gan晶体电导率较低，通过有效地掺杂提升gan的电导率，在电流注入时可以不断产生电子参与到有源区中的辐射复合。掺杂元素一般要求与gan原子半径接近且在生长温度下仍能保持一定稳定性。在mocvd外延生长gan中，使用最多的n型掺杂元素为si，掺杂源为sih4。

3、目前gan外延层结构中，n型gan层通常都为bulk结构，这种结构的争端在于gan均会掺杂si本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，包括衬底，在所述衬底上依次层叠的缓冲层、非掺杂GaN层、n型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层和p型半导体层；

2.如权利要求1所述的发光二极管的外延片，其特征在于，所述C-Si共掺杂含镓氮化物层中C的掺杂浓度为5×1016atoms/cm3~5×1017atoms/cm3，Si的掺杂浓度为5×1018atoms/cm3~5×1019atoms/cm3；

3.如权利要求1所述的发光二极管的外延片，其特征在于，所述第一Si掺杂/第二Si掺杂含镓氮化物层为第一Si掺杂含镓氮化物层和第二Si掺杂含镓氮化物层由下至上依次交替层叠形成的...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，包括衬底，在所述衬底上依次层叠的缓冲层、非掺杂gan层、n型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层和p型半导体层；

2.如权利要求1所述的发光二极管的外延片，其特征在于，所述c-si共掺杂含镓氮化物层中c的掺杂浓度为5×1016atoms/cm3~5×1017atoms/cm3，si的掺杂浓度为5×1018atoms/cm3~5×1019atoms/cm3；

3.如权利要求1所述的发光二极管的外延片，其特征在于，所述第一si掺杂/第二si掺杂含镓氮化物层为第一si掺杂含镓氮化物层和第二si掺杂含镓氮化物层由下至上依次交替层叠形成的超晶格结构，交替周期数为1~10。

4.如权利要求3所述的发光二极管的外延片，其特征在于，所述第一si掺杂含镓氮化物层中si的掺杂浓度为x1，所述第二si掺杂含镓氮化物层中si的掺杂浓度为x2，满足x1＞x2。

5.如权利要求4所述的发光二极管的外延片，其特征在于，x1=（1.01~5）...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡加辉，郑文杰，程龙，高虹，刘春杨，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：