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本申请提供一种用于NAND器件浅沟槽填充材料的研磨方法，包括：步骤一，提供一衬底，在衬底上形成由自下而上层叠的栅极介质层、多晶硅层、阻挡层和研磨缓冲层构成的叠层结构；步骤二，刻蚀该叠层结构直至露出衬底，形成多个浅沟槽隔离的刻蚀窗口；步骤三，...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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