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提供一种半导体器件制备方法及由此方法制备的半导体器件，该方法包括：提供衬底，衬底包括阵列区和外围区，阵列区形成有存储节点接触垫；外围区形成有第一布线层，存储节点接触垫和第一布线层表面形成有第一保护层；在衬底表面形成第一介质层，第一介质层在第...
该专利属于长鑫科技集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫科技集团股份有限公司授权不得商用。

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