半导体器件及其制备方法技术

提供一种半导体器件制备方法及由此方法制备的半导体器件，该方法包括：提供衬底，衬底包括阵列区和外围区，阵列区形成有存储节点接触垫；外围区形成有第一布线层，存储节点接触垫和第一布线层表面形成有第一保护层；在衬底表面形成第一介质层，第一介质层在第一布线层对应位置形成有通孔，通孔中暴露第一布线层；在第一介质层上和通孔中形成连续的第一金属层；图案化第一金属层和第一介质层形成位于外围区的第二布线图案，暴露阵列区的第一保护层；在第二布线图案之间形成第二保护图案；去除暴露的第一保护层，暴露存储节点接触垫；在阵列区形成与存储节点接触垫连接的存储节点，在外围区形成平坦层，平坦层中形成有与第二布线图案接触的接触插塞。

【技术实现步骤摘要】

本公开实施例涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件、动态随机存储器及选择控制电路。

技术介绍

1、动态存储器(dram)的发展追求高速度、高集成密度、低功耗等性能指标，随着半导体器件结构尺寸的微缩，对工艺的良率的要求逐渐提高。外围区域的电路引出结构制程变得更加复杂，同时还要保证阵列区域的制程工艺不受到影响，因此新的半导体结构制备方法亟需开发。

技术实现思路

1、根据本公开实施例的第一方面，提供一种半导体器件制备方法，包括：

2、提供衬底，衬底包括阵列区和外围区，阵列区形成有存储节点接触垫；外围区形成有第一布线层，存储节点接触垫和第一布线层表面形成有第一保护层；

3、在衬底表面形成第一介质层，第一介质层在第一布线层对应位置形成有通孔，通孔中暴露第一布线层；

4、在第一介质层上和通孔中形成连续的第一金属层；

5、图案化第一金属层和第一介质层形成位于外围区的第二布线图案，暴露阵列区的第一保护层；

6、在第二布线图案之间形成第二保护图案；p>

7、去除暴本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述半导体器件制备方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述半导体器件制备方法，其特征在于，

4.根据权利要求2所述半导体器件制备方法，其特征在于，

5.根据权利要求2所述半导体器件制备方法，其特征在于，

6.根据权利要求1所述半导体器件制备方法，其特征在于，

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8.根据权利要求1所述半导体器件制备方法，其特征在于，

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【技术特征摘要】

1.一种半导体器件制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述半导体器件制备方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述半导体器件制备方法，其特征在于，

4.根据权利要求2所述半导体器件制备方法，其特征在于，

5.根据权利要求2所述半导体器件制备方法，其特征在于，

6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：李浩然，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：