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本发明属于半导体功率器件的技术领域，具体涉及一种抑制短路电流丝失效的IGBT结构。它包括第一导电类型的半导体衬底，半导体衬底的正面有元胞区，所述半导体衬底的背面有集电极结构，其特点是，半导体衬底的漂移区中至少有一条第一导电类型的掺杂区，该掺...
该专利属于江苏捷捷微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏捷捷微电子股份有限公司授权不得商用。

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