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本申请提供一种超结器件的制备方法，在形成柱形注入区之后，在硬掩膜层中的深沟槽内填充光刻胶层，并且循环执行刻蚀部分厚度的光刻胶层+刻蚀部分厚度的硬掩膜层的步骤至少一次，将硬掩膜层的厚度刻蚀至满足研磨工艺要求所需的厚度及以下时，接着去除深沟槽中...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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