【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，具体涉及一种超结器件的制备方法。
技术介绍
1、在低压超级结(lv_sj)器件的传统制备工艺中，在衬底中形成沟槽栅结构以及衬底表面形成刻蚀阻挡层和硬掩膜层之后，以及在刻蚀硬掩膜层形成高深宽比的沟槽之后，通过多道高能的imp(离子注入)在高深宽比的沟槽底部的衬底中形成柱形注入区，接着还会通过湿法刻蚀工艺去除硬掩膜层。
2、根据仿真结果显示，3400kev的离子注入能量需要5.6μm的膜层去阻挡，且衬底表面的刻蚀阻挡层的厚度直接影响后续imp的注入深度，从而直接影响器件的击穿电压(bv)，为保证bv达到理想值，在柱形注入区的离子注入工艺之前，衬底表面的刻蚀阻挡层的厚度通常需保证在左右。
3、但是，在形成柱形注入区之后，通过湿法刻蚀工艺去除硬掩膜层时，容易遭遇由于湿法刻蚀工艺时间过长以及衬底表面保留的刻蚀阻挡层不够阻挡湿法清洗溶液，使得湿法清洗溶液有足够时间从划片道进入沟槽栅结构，破坏沟槽栅结构里的栅氧结构等一系列问题，从而影响超结器件产品的良率。
技术实现思路
1、本申请提供了一种超结器件的制备方法，可以解决超级结器件的传统制备工艺中，去除硬掩膜层时，出现沟槽栅结构里的栅氧结构被湿法清洗溶液破坏等问题，从而影响超结器件产品的良率的问题。
2、本申请实施例提供了一种超结器件的制备方法，包括：
3、步骤1：提供一衬底，所述衬底中形成有沟槽栅结构，所述衬底表面形成有刻蚀阻挡层和硬掩膜层；
4、步骤2：刻蚀所述硬
5、步骤3：以所述硬掩模层为掩膜，通过离子注入工艺在所述深沟槽底部的衬底中形成柱形注入区，所述柱形注入区位于所述沟槽栅结构之间；
6、步骤4：形成光刻胶层，所述光刻胶层填充所述深沟槽；
7、步骤5：刻蚀位于所述深沟槽中的部分厚度的所述光刻胶层；
8、步骤6：刻蚀部分厚度的所述硬掩膜层，所述硬掩膜层的剩余厚度小于所述光刻胶层的剩余厚度；其中，所述步骤5至所述步骤6至少执行一次；
9、步骤7：去除位于所述深沟槽中的剩余厚度的所述光刻胶层；
10、步骤8：研磨去除剩余厚度的所述硬掩膜层和部分厚度的刻蚀阻挡层。
11、可选的，在所述超结器件的制备方法中，采用干法刻蚀工艺刻蚀位于所述深沟槽中的部分厚度的所述光刻胶层。
12、可选的，在所述超结器件的制备方法中，采用干法刻蚀工艺刻蚀部分厚度的所述硬掩膜层。
13、可选的，在所述超结器件的制备方法中，所述硬掩膜层的初始厚度至少为5.6μm。
14、可选的，在所述超结器件的制备方法中，刻蚀位于所述深沟槽中的部分厚度的所述光刻胶层的过程中，刻蚀去除的所述光刻胶层的厚度不超过1.5μm。
15、可选的，在所述超结器件的制备方法中，在去除位于所述深沟槽中的剩余厚度的所述光刻胶层之前，所述硬掩膜层的剩余厚度小于或者等于1.3μm。
16、可选的，在所述超结器件的制备方法中，采用cmp工艺研磨去除剩余厚度的所述硬掩膜层和部分厚度的刻蚀阻挡层。
17、可选的，在所述超结器件的制备方法中，所述刻蚀阻挡层的初始厚度为
18、可选的，在所述超结器件的制备方法中，在研磨去除剩余厚度的所述硬掩膜层和部分厚度的刻蚀阻挡层之后，衬底表面的刻蚀阻挡层的剩余厚度不超过
19、可选的，在所述超结器件的制备方法中，所述刻蚀阻挡层的材质为氮化硅；所述硬掩膜层的材质为teos。
20、本申请技术方案，至少包括如下优点：
21、本申请在形成柱形注入区之后，在硬掩膜层中的深沟槽内填充光刻胶层，并且循环执行刻蚀部分厚度的光刻胶层+刻蚀部分厚度的硬掩膜层的步骤至少一次，将硬掩膜层的厚度刻蚀至满足研磨工艺要求所需的厚度及以下时，接着去除深沟槽中的剩余厚度的光刻胶层，最后研磨去除剩余厚度的硬掩膜层和部分厚度的刻蚀阻挡层。本申请的超结器件的制备方法中，硬掩膜层的去除过程避开了传统的湿法刻蚀工艺，从而避免了由于湿法刻蚀工艺时间过长以及衬底表面保留的刻蚀阻挡层不够阻挡湿法清洗溶液，使得沟槽栅结构被湿法刻蚀溶液破坏等一系列问题，提高了超结器件的良率，改善了超结器件的电性能。
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1.一种超结器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的超结器件的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀位于所述深沟槽中的部分厚度的所述光刻胶层。
3.根据权利要求1所述的超结器件的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀部分厚度的所述硬掩膜层。
4.根据权利要求1所述的超结器件的制备方法，其特征在于，所述硬掩膜层的初始厚度至少为5.6μm。
5.根据权利要求4所述的超结器件的制备方法，其特征在于，刻蚀位于所述深沟槽中的部分厚度的所述光刻胶层的过程中，刻蚀去除的所述光刻胶层的厚度不超过1.5μm。
6.根据权利要求5所述的超结器件的制备方法，其特征在于，在去除位于所述深沟槽中的剩余厚度的所述光刻胶层之前，所述硬掩膜层的剩余厚度小于或者等于1.3μm。
7.根据权利要求1所述的超结器件的制备方法，其特征在于，采用CMP工艺研磨去除剩余厚度的所述硬掩膜层和部分厚度的刻蚀阻挡层。
8.根据权利要求1所述的超结器件的制备方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的初始厚度为
9.根
10.根据权利要求1所述的超结器件的制备方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材质为氮化硅；所述硬掩膜层的材质为TEOS。
...【技术特征摘要】
1.一种超结器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的超结器件的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀位于所述深沟槽中的部分厚度的所述光刻胶层。
3.根据权利要求1所述的超结器件的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀部分厚度的所述硬掩膜层。
4.根据权利要求1所述的超结器件的制备方法，其特征在于，所述硬掩膜层的初始厚度至少为5.6μm。
5.根据权利要求4所述的超结器件的制备方法，其特征在于，刻蚀位于所述深沟槽中的部分厚度的所述光刻胶层的过程中，刻蚀去除的所述光刻胶层的厚度不超过1.5μm。
6.根据权利要求5所述的超结器件的制备方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐进，白巧宁，陈思彤，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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