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本发明提出了一种半导体发光元件，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体、有源层和p型半导体，所述n型半导体与有源层之间设置有效率衰减抑制层。本发明在半导体发光元件的n型半导体与有源层之间设置效率衰减抑制层，并通过调控该效率衰减抑制层的辐射复...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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