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本发明涉及一种阴离子插层硫族化合物的相变材料及其制备方法和应用。本发明通过阴离子插层实现硫族化合物相变，具体来说，通过将非金属单质溶解在乙二胺中，形成阴离子前驱体溶液。将硫族化合物与阴离子前驱体溶液混合，并进行超声处理，使乙二胺携带的阴离子...
该专利属于同济大学所有，仅供学习研究参考，未经过同济大学授权不得商用。

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