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一种压电半导体器件的多物理场耦合力学行为预测方法技术
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文档序号:43333139
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本发明公开了一种压电半导体器件的多物理场耦合力学行为的预测方法,该预测方法通过网格化反演全连接神经网络模型预测多物理场耦合力学行为,在求解压电半导体多场耦合非线性问题中具有显著优势,既能够实现复杂耦合关系的灵活建模,又能应对非线性效应,实现...
该专利属于浙江大学所有,仅供学习研究参考,未经过浙江大学授权不得商用。
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