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本发明公开了一种半导体加工铜互连的方法，首先在基板上形成通孔和沟槽，并对通孔和沟槽进行去气处理；然后，沉积铜阻挡层和铜籽晶层；在沉积铜阻挡层之后，且在沉积铜籽晶层之前和／或之后进行离子溅射步骤。通过离子溅射步骤，可以实现预清洗，工艺简单、成...该专利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司授权不得商用。