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本公开内容的实施方式有利地提供半导体器件CFET，特别是以及制造具有完全应变的超晶格结构的此类器件的方法，该完全应变的超晶格结构具有实质无缺陷的沟道层以及具有具降低的选择性去除速率的释放层。本文所述的CFET包括垂直堆叠的超晶格结构，该垂直...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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