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本申请公开了一种高速直接调制的含横向耦合腔TCC‑VCSEL的制备方法，其中所述VCSEL芯片外延结构以下至上包括:n型GaAs衬底，n型缓冲层,n‑DBR层，包括量子阱和势垒层的有源层，由氧化限制层窗口定义的选择区域砷离子注入第一p‑DB...
该专利属于安徽科谱芯光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽科谱芯光科技有限公司授权不得商用。

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