一种含横向耦合腔TCC-VCSEL的制备方法技术

本申请公开了一种高速直接调制的含横向耦合腔TCC‑VCSEL的制备方法，其中所述VCSEL芯片外延结构以下至上包括:n型GaAs衬底，n型缓冲层,n‑DBR层，包括量子阱和势垒层的有源层，由氧化限制层窗口定义的选择区域砷离子注入第一p‑DBR层,氧化限制层，第二p‑DBR层和高掺杂p接触层。两个相互联接的方型氧化物限制窗口形成正常VCSEL发光窗口和提供光学反馈的横向耦合腔。本申请可以有效控制VCSEL氧化限制窗口的尺寸，尤其是能够精确控制横向耦合腔的尺寸并改善其均匀性,从而能够增加VCSEL带宽，提高良率，可以使低成本的VCSEL激光器满足高速通信领域的需求，降低通信系统的成本。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于半导体激光，特别涉及一种含横向耦合腔的tcc-vcsel的制备方法。

技术介绍

1、垂直腔面发射激光器(vcsel)以单色性好，发散角小，单纵模激射，低阈值电流，高调制带宽，易与光纤耦合，易于高密度集成，晶圆级别检测和低成本等优势，广泛应用于激光打印，光存储，密度光存储和读出，自由空间光互连以及单模光纤中数据高速传输等领域。

2、但是直接调制vcsel的最大速度受到由弛豫振荡频率的固有限制及其寄生电容限制。由于谐振频率随着平方根的增加而增加驱动电流，所以需要高电流密度增加调制带宽，这导致长期可靠性问题。因此，传统vcsel的速度很难超过10gbps。

3、在小信号调制响应中的光子-光子共振(ppr)效应已用于单模边发射半导体激光器，例如dbr边发射半导体激光器，可显著增加3db调制带宽，超出弛豫振荡频率。采用横向耦合腔(tcc)的vcsel，同样可以通过利用ppr反馈，带宽可以比常规的vcsel增加3倍。例如领结型tcc-vcsel，由两个方型的氧化物窗口组成并在一个角上相接，形成”领结″形状。一边的方块是正常vcsel发本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种含横向耦合腔的TCC-VCSEL的制备方法，其特征在于，包括如下步骤二

2.根据权利要求1所述的含横向耦合腔的TCC-VCSEL的制备方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的含横向耦合腔的TCC-VCSEL的制备方法，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的含横向耦合腔的TCC-VCSEL的制备方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的含横向耦合腔的TCC-VCSEL的制备方法，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的含横向耦合腔的TCC-VCSE...

【技术特征摘要】

1.一种含横向耦合腔的tcc-vcsel的制备方法，其特征在于，包括如下步骤二

2.根据权利要求1所述的含横向耦合腔的tcc-vcsel的制备方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的含横向耦合腔的tcc-vcsel的制备方法，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的含横向耦合腔的tcc-vcsel的制备方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的含横向耦合腔的tcc-vcsel的制备方法，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的含横向耦合腔的tcc-vcsel的制备方法，其特征在于，对所述第一p-dbr层进行氧化限制窗口区域外as+离子注入具体包括，

7.根据权利要求1所述的含横向耦合腔的tcc-vcsel的制备方法，其特征在于，对所述p接触层、第二p-dbr层...

【专利技术属性】
技术研发人员：张岚，潘振辉，穆安容，许明，
申请(专利权)人：安徽科谱芯光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：