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本发明公开了一种抑制SiC背部升华的籽晶粘接工艺，包括在籽晶背面和石墨烯膜的第一面通过旋涂法涂敷粘接胶水，随后将胶膜烘干；进行第一次真空热压处理；在圆片式籽晶托和所述石墨烯膜的第二面通过旋涂法涂敷粘接胶水，随后将胶膜烘干；进行第二次真空热压...
该专利属于长飞光纤光缆股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长飞光纤光缆股份有限公司授权不得商用。

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