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本发明公开了一种同步瞬态力电耦合测试芯片结构及制备方法，该芯片功能区包括支撑梁、拉伸热执行器、静电执行器、样品台、应变电容传感器、应力电容传感器、电极引线压焊块和衬底；其中衬底用于承载器件层，器件层下方具有衬底掏空结构，并且执行器与传感器之...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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