【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种mems力电耦合测试芯片，具体来说，涉及一种用于低维或薄膜材料的力、电材料参数测试领域的同步、瞬态力电耦合测试芯片。
技术介绍
1、过去的几十年，由于纳米材料具有独特的力学、电学和热学性质，使其被广泛应用于制造电子设备、太阳能转换、促进化学反应、合成纤维、微电池制造、纳机电系统(nems)和可拉伸电子学等新兴领域。因此，纳米材料的机械和电气行为是材料科学中重点研究领域之一。纳米材料的力学和电学性能与其纳米尺度的变形机制密切相关，导致其力学和电学性能与宏观材料会有显著差异。因此，发展一种可以便捷实时测量并且可以在sem/tem中实现原位观察纳米材料显微结构和力、电性能的测试系统，对于提高纳米电子器件的可靠性，促进相关领域的发展具有十分重要的意义。
2、应力状态下的力、电特性与材料内部结构的形成和演化紧密相关，但目前相关研究主要建立在力学或电学单一模式下独立测试，无法全面理解力学和电学耦合模式下的力电特性。同时，目前的原位测试系统多采用开环电容传感机制，会导致传感器中的弹性能不断积累，使得当样品发生应变软化现象...
【技术保护点】
1.一种同步瞬态力电耦合测试芯片结构，其特征在于，包括器件层和衬底，器件层通过锚点固定在衬底上，器件层下方具有衬底掏空结构；
2.根据权利要求1所述一种同步瞬态力电耦合测试芯片结构，其特征在于，拉伸热执行器与应变电容传感器之间设计连接件结构，连接件为高阻硅或玻璃。
3.根据权利要求1所述一种同步瞬态力电耦合测试芯片结构，其特征在于，第一样品台和第二样品台上覆有氮化硅绝缘层用于电学绝缘，四探针测试结构布置在绝缘层上。
4.根据权利要求1所述一种同步瞬态力电耦合测试芯片结构，其特征在于，所述拉伸热执行器包括第一质量块和V型梁；
<...【技术特征摘要】
1.一种同步瞬态力电耦合测试芯片结构，其特征在于，包括器件层和衬底，器件层通过锚点固定在衬底上，器件层下方具有衬底掏空结构；
2.根据权利要求1所述一种同步瞬态力电耦合测试芯片结构，其特征在于，拉伸热执行器与应变电容传感器之间设计连接件结构，连接件为高阻硅或玻璃。
3.根据权利要求1所述一种同步瞬态力电耦合测试芯片结构，其特征在于，第一样品台和第二样品台上覆有氮化硅绝缘层用于电学绝缘，四探针测试结构布置在绝缘层上。
4.根据权利要求1所述一种同步瞬态力电耦合测试芯片结构，其特征在于，所述拉伸热执行器包括第一质量块和v型梁；
5.根据权利要求1或4所述一种同步瞬态力电耦合测试芯片结构，其特征在于，所述应变电容传感器包括第二质量块、至少两组第一可动梳齿和第一固定梳齿；
6.根据权利要求5所述一种同步瞬态力电耦合测试芯片结构，...
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