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一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供基底，基底上形成有沟道叠层结构，沟道叠层结构包括一个或多个在纵向上依次堆叠设置的沟道叠层，沟道叠层包括牺牲层以及位于牺牲层上的沟道层，基底上形成有横跨沟道叠层结构的栅极结构，栅极结构的侧壁形成有第一侧...
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