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本申请实施例提供一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于提高埋入式电源轨与配电网络的连接良率，减小半导体器件的电阻。该半导体器件包括衬底、多个鳍、源极、漏极、外延接触、配电网络和埋入式电源轨。源极和漏极位于鳍上。外延接...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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