【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法、电子设备。
技术介绍
1、为了满足持续不断的芯片微缩的需要，在器件间距非常紧密时，为了优化电源供电能力，提出了将电源移动至衬底中，形成埋入式电源轨(buried power rail，bpr)的方案，埋入式电源轨渗入衬底中，有效的释放了互联的布线资源。
2、背侧配电网(backside power delivery network，bspdn)半导体器件通过在晶片的第一侧提供包括有源晶体管、信号线和埋入式电源轨的集成电路，并在晶片的第二侧提供配电网络，将半导体器件中的信号线与配电网络分开，可以最小化走线，并允许缩小半导体器件的面积。同时与一般的配电网半导体器件相比，背侧配电网半导体器件还可以改善电流电阻压降(ir drop)，提升半导体器件性能，降低功耗。
3、虽然具有较高深宽比(aspect ratio，ar)的埋入式电源轨可以降低半导体器件的电阻，但是所需的刻蚀工艺和金属填充工艺难度较大。一般的，埋入式电源轨会通过硅通孔(through silicon v...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述第一方向上，所述第二掩埋部靠近所述第一掩埋部的一端的尺寸，小于或等于所述第一掩埋部靠近所述第二掩埋部的一端的尺寸。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一掩埋部包括远离所述第二掩埋部的第一表面，所述第二掩埋部包括远离所述第一掩埋部的第二表面，所述第一表面的面积小于所述第二表面的面积。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，在所述第二方向上，所述第二表面的尺寸大于所述第一表面的尺寸。
5.根据权利要...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述第一方向上，所述第二掩埋部靠近所述第一掩埋部的一端的尺寸，小于或等于所述第一掩埋部靠近所述第二掩埋部的一端的尺寸。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一掩埋部包括远离所述第二掩埋部的第一表面，所述第二掩埋部包括远离所述第一掩埋部的第二表面，所述第一表面的面积小于所述第二表面的面积。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，在所述第二方向上，所述第二表面的尺寸大于所述第一表面的尺寸。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体器件，其特征在于，沿垂直于所述衬底且远离所述第一掩埋部的方向，所述第二掩埋部在所述第二方向上的尺寸逐渐增大；沿垂直于所述衬底且靠近所述第二掩埋部的方向，所述第一掩埋部在所述第二方向上的尺寸逐渐减小或保持不变。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体器件，其特征在于，在所述第一掩埋部与所述第二掩埋部的连接处，所述埋入式电源轨的在所述第二方向上相对的侧壁具有拐角。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第二掩埋部包括垂直于所述衬底且平行于所述第二方向的截面，所述截面呈梯形。
8.根据权利要求7所述的半导体器件...
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