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本发明涉及半导体器件领域，公开了一种碳化硅基集成多晶异质结的功率器件及其制备方法。该器件包括从下至上依次层叠设置的背部漏极金属层、n+型碳化硅衬底、n型漂移层；在n型漂移层的顶部两侧分别设有p型基区，p型基区内包裹有p+型源区以及n+型源区...
该专利属于深圳市汇芯通信技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市汇芯通信技术有限公司授权不得商用。

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