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本申请公开了覆铜板及其制备方法、电路板、电子设备，属于半导体存储技术领域。该覆铜板包括：氟树脂层和位于氟树脂层的至少一个表面上的覆铜结构层；覆铜结构层包括相贴合的介质层和铜箔层，介质层贴合于氟树脂层；介质层包括热固性树脂层，热固性树脂层包括...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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