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本发明公开一种同时提高Cu‑Cr‑Ti系合金强度和导电率的方法，属于铜合金材料领域。本发明包括按质量百分数计为Cr：0.1％‑1％，Ti：0.05％‑0.5％，Zn：0.01％‑0.5％，余量为Cu及其他不可避免的杂质元素的Cu‑Cr‑Ti...
该专利属于昆明理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过昆明理工大学授权不得商用。

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