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本发明实施例涉及一种屏蔽栅沟槽MOSFET和功率器件，其中所述屏蔽栅沟槽MOSFET包括：衬底、外延层、第一沟槽、第二沟槽、氧化层、源极多晶硅层和栅极多晶硅层；其中，所述衬底的一侧上设置有外延层；所述外延层内形成有所述第一沟槽和所述第二沟槽...
该专利属于湖南虹安微电子有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南虹安微电子有限责任公司授权不得商用。

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