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本申请公开了一种LED外延结构，LED外延结构包括：外延衬底；在外延衬底的一侧表面上从下到上依次层叠的缓冲层、腐蚀截止层、第一型半导体层、有源层以及第二型半导体层；其中，腐蚀截止层与第一型半导体层之间具有多个GaAs量子点结构。本申请技术方...
该专利属于厦门士兰明镓化合物半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门士兰明镓化合物半导体有限公司授权不得商用。

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