【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件，更具体的说，涉及一种led外延结构。
技术介绍
1、发光二极管(light emitting diode，简称led)是一种半导体固体发光器件，其利用半导体pn结作为发光材料，可以直接将电转换为光。近年来led因其具有耗电低、寿命长、体积小、节能环保等优点得到了广泛的应用。特别是随着金属有机物化学气相沉积(mocvd)外延生长技术的成熟，以砷化镓(gaas)为代表的红光led迅速发展，开始大规模商用化。
2、现有的led外延结构中，需要在外延衬底表面的缓冲层上形成腐蚀截止层，而后在腐蚀截止层的表面上依次形成外延层，以便于在去除外延衬底时，缓冲层上方的外延层被腐蚀。
3、现有技术中，虽然腐蚀截止层与其两侧膜层的晶格匹配，但是腐蚀截止层与其两侧膜层的存在带隙差，带隙差则会带来能带偏移问题。而能带偏移会导致led的寿命缩短，非均匀的能带偏移会导致电荷和电场聚集，进而形成热点和局部电压过高的区域，这可能会增加载流子的散射和损失，加速材料的退化和led的失效。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种LED外延结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述腐蚀截止层朝向所述第一型半导体层的一侧表面具有多个凹坑；
3.根据权利要求2所述的LED外延结构，其特征在于，所述凹坑为圆柱形凹坑，所述凸起结构为填充所述圆柱形凹坑的圆柱形凸起；
4.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述GaAs量子点结构在所述腐蚀截止层的表面的分布密度范围是1×108个/cm2～1×1010个/cm2。
5.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，在平行于所述第一型半导体层所在平面...
【技术特征摘要】
1.一种led外延结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的led外延结构，其特征在于，所述腐蚀截止层朝向所述第一型半导体层的一侧表面具有多个凹坑；
3.根据权利要求2所述的led外延结构，其特征在于，所述凹坑为圆柱形凹坑，所述凸起结构为填充所述圆柱形凹坑的圆柱形凸起；
4.根据权利要求1所述的led外延结构，其特征在于，所述gaas量子点结构在所述腐蚀截止层的表面的分布密度范围是1×108个/cm2～1×1010个/cm2。
5.根据权利要求1所述的led外延结构，其特征在于，在平行于所述第一型半导体层所在平面的方向上，所述gaas量子点结构的尺寸范围是2nm～15nm；
6.根据权利要求1所述的led外延...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢岚驰，李森林，毕京锋，
申请(专利权)人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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