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本申请公开了一种降低碳化硅单晶制备成本的液相生长用坩埚及液相制备方法，属于碳化硅单晶液相生长技术领域。该坩埚包括：坩埚底和第一坩埚壁，坩埚底由石墨制成，第一坩埚壁由碳化硅多晶制成，第一坩埚壁为具有中心轴的圆柱形，且可拆卸连接在坩埚底的上部，...
该专利属于山东天岳先进科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东天岳先进科技股份有限公司授权不得商用。

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