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一种低温晶片键合的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：将单面抛光的Ｓｉ外延片和ＩｎＧａＡｓ外延片用有机溶剂清洗，去除表面的有机物，该ＩｎＧａＡｓ外延片的底层为ＩｎＰ衬底；步骤２：再分别对Ｓｉ外延片和ＩｎＧａＡｓ外延片进行表面处理，以去除...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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