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本发明涉及二极管技术领域，公开了高功率二极管及其制备方法，其中，高功率二极管包括衬底层、第一外延层、第二外延层、第一导电层以及第二导电层；第一外延层位于衬底层的一侧表面，第二外延层位于第一外延层背离衬底层的一侧表面，且第二外延层具有扩散区域...
该专利属于苏州德信芯片科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州德信芯片科技有限公司授权不得商用。

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