【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及二极管，具体涉及一种高功率二极管及其制备方法。
技术介绍
1、二极管是用半导体材料制成的电子器件，二极管具有单向导电性能，二极管广泛应用于各类电路中，随着科技的快速发展，电路的复杂性和高功率场景不断增加，从而使得对高功率二极管的需求越来越大。
2、目前，常常通过将多个二极管芯片叠加串联，并引出引脚，然后用树脂封装成整体的器件，以此获得高功率的二极管器件，然而上述的方法需要多个二极管封装成整体器件，导致成本偏高，且体积偏大。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供了一种高功率二极管及其制备方法，以解决现有的高功率二极管将多个二极管芯片叠加串联，然后进行封装，从而导致成本偏高，体积偏大的问题。
2、第一方面，本专利技术提供了一种高功率二极管，包括：
3、衬底层；
4、第一外延层，位于所述衬底层的一侧表面；
5、第二外延层，位于所述第一外延层背离所述衬底层的一侧表面，且所述第二外延层中具有第一扩散区域；
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【技术保护点】
1.一种高功率二极管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的高功率二极管，其特征在于，还包括第二扩散区域(7)，其依次贯穿所述第二外延层(3)、所述第一外延层(2)，并深入至所述衬底层(1)中，所述第二扩散区域(7)围合形成隔离环，所述隔离环内具有所述第一扩散区域(5)，所述第二扩散区域(7)的导电类型与所述第一扩散区域(5)的导电类型相同。
3.根据权利要求2所述的高功率二极管，其特征在于，所述第一外延层(2)掺杂导电杂质的浓度、所述第二外延层(3)掺杂导电杂质的浓度、所述第一扩散区域(5)掺杂导电杂质的浓度均小于所述衬底层(1)掺杂导
【技术特征摘要】
1.一种高功率二极管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的高功率二极管，其特征在于，还包括第二扩散区域(7)，其依次贯穿所述第二外延层(3)、所述第一外延层(2)，并深入至所述衬底层(1)中，所述第二扩散区域(7)围合形成隔离环，所述隔离环内具有所述第一扩散区域(5)，所述第二扩散区域(7)的导电类型与所述第一扩散区域(5)的导电类型相同。
3.根据权利要求2所述的高功率二极管，其特征在于，所述第一外延层(2)掺杂导电杂质的浓度、所述第二外延层(3)掺杂导电杂质的浓度、所述第一扩散区域(5)掺杂导电杂质的浓度均小于所述衬底层(1)掺杂导电杂质的浓度。
4.根据权利要求3所述的高功率二极管，其特征在于，所述第一扩散区域(5)掺杂导电杂质的浓度大于所述第二外延层(3)掺杂导电杂质的浓度。
5.根据权利要求4所述的高功率二极管，其特征在于，所述第二扩散区域...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙玉华，
申请(专利权)人：苏州德信芯片科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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