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描述了一种在带电粒子束成像装置中确定由聚焦透镜(120)朝向样品平面(p<subgt;S</subgt;)聚焦的带电粒子束(11)的能谱或能宽的方法。所述方法包括(a)引入带电粒子束(11)的能量相关偏转，所述能量相关偏转导致光...该专利属于ICT半导体集成电路测试有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ICT半导体集成电路测试有限公司授权不得商用。
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描述了一种在带电粒子束成像装置中确定由聚焦透镜(120)朝向样品平面(p<subgt;S</subgt;)聚焦的带电粒子束(11)的能谱或能宽的方法。所述方法包括(a)引入带电粒子束(11)的能量相关偏转，所述能量相关偏转导致光...