【技术实现步骤摘要】
本文描述的实施例涉及确定例如在电子显微镜中(特别是在扫描电子显微镜(sem)中)由带电粒子源产生的带电粒子束(特别是电子束)的能谱或能宽的方法。具体地，确定带电粒子束成像装置中的带电粒子束的能谱或能宽。还描述了经配置为用于执行所描述的方法的带电粒子束成像装置。
技术介绍
1、现代半导体技术对纳米或甚至亚纳米尺度的样本进行结构化和探测提出了高要求。微米和纳米尺度的工艺控制、检查或结构化经常是用带电粒子束(例如，电子束)来完成的，所述带电粒子束在带电粒子束成像装置(诸如电子显微镜或电子束图案产生器)中产生、成形、偏转和聚焦。出于检查目的，与例如光子束相比，带电粒子束提供了优异的空间分辨率。
2、使用带电粒子束的检查设备(诸如扫描电子显微镜(sem))在多个工业领域中具有许多功能，包括但不限于电子电路的检查、用于光刻的曝光系统、检测系统、缺陷检查工具、和用于集成电路的测试系统。在这样的粒子束系统中，可以使用具有高电流密度的细束探针。例如，在电子显微镜的情况下，一次电子束在撞击样品时产生信号粒子，诸如二次电子(se)和/或背散射电子...
【技术保护点】
1.一种确定由聚焦透镜朝向样品平面聚焦的带电粒子束的能谱或能宽的方法，所述方法包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其中根据所述射束轮廓确定所述能谱包含沿着所述色散轴穿过所述射束轮廓获取径向线轮廓并且将沿着所述色散轴的偏转距离转换为能量单位。
3.根据权利要求1所述的方法，其中根据所述射束轮廓确定所述能谱包含：
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述能量相关偏转通过利用射束偏转器穿过所述聚焦透镜离轴地转向所述带电粒子束来引入。
5.根据权利要求1所述的方法，进一步包含在引入所述能量相关偏转之后并且在获取所述图像之前校正所...
【技术特征摘要】
1.一种确定由聚焦透镜朝向样品平面聚焦的带电粒子束的能谱或能宽的方法，所述方法包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其中根据所述射束轮廓确定所述能谱包含沿着所述色散轴穿过所述射束轮廓获取径向线轮廓并且将沿着所述色散轴的偏转距离转换为能量单位。
3.根据权利要求1所述的方法，其中根据所述射束轮廓确定所述能谱包含：
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述能量相关偏转通过利用射束偏转器穿过所述聚焦透镜离轴地转向所述带电粒子束来引入。
5.根据权利要求1所述的方法，进一步包含在引入所述能量相关偏转之后并且在获取所述图像之前校正所述带电粒子束的至少一个射束像差。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述至少一个射束像差是像散。
7.根据权利要求5所述的方法，其中所述至少一个射束像差的实际量确定如下：
8.根据权利要求7所述的方法，其中，在(x1)中，当所述样品布置在与所述带电粒子束的射束焦点相距一个或多个散焦距离处时，获取所述样品的所述一个或多个散焦图像。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述能谱确定如下：
10.根据权利要求9所述的方法，其中重复(c1)和(c2)，直到获得所述模拟射束轮廓与在(b)中检取的所述射束轮廓之间的所述差的最小量值，并且在所述迭代处的所述更新能谱被确定为所述带电粒子束的所述能谱。
11.根据权利要求1所述的方法，其中用于获取(a)中的所述样品的所述图像的所述带电粒子束是具有所述以下参数值中的一个或多个的电子束：
12.根据权利要求1所述的方法，其中，在(b)中，通过将所述图像与所述样品...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·布罗伊尔，D·P·埃伯格，
申请(专利权)人：ICT半导体集成电路测试有限公司，
类型：发明
国别省市：
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