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本发明公开了一种基于原位AAO模板的铜纳米线阵列封装凸点制备工艺，属于集成电路封装领域。主要步骤包括在硅基底上制备二氧化硅介质层；光刻刻蚀二氧化硅；沉积Al薄膜；将Al薄膜阳极氧化为纳米多孔氧化铝模板；电镀填充铜纳米线；铜纳米线阵列基板对齐...
该专利属于大连理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过大连理工大学授权不得商用。

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