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本发明提供了一种碳化硅复合衬底的制备方法及碳化硅复合衬底和应用。所述制备方法包括以下步骤：(1)将两片碳化硅单晶衬底进行Si面键合，得到两侧外表面均为C面的碳化硅单晶键合体；(2)对碳化硅单晶键合体的两侧外表面进行离子注入，两侧外表面均形成...
该专利属于青禾晶元（天津）半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青禾晶元（天津）半导体材料有限公司授权不得商用。

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