温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明具体公开了一种量子点雪崩光电二极管及其制备方法，将半绝缘GaAs衬底送入MBE腔，利用MBE腔内高温去除半绝缘GaAs衬底表面的氧化层，在去除表面氧化层的半绝缘GaAs衬底上依次生长GaAs N型接触层、低掺杂GaAs N型缓冲层、I...
该专利属于湖南汇思光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南汇思光电科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。