【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料外延生长，尤其涉及一种量子点雪崩光电二极管及其制备方法。
技术介绍
1、雪崩二极管（avalanche photodiodes，简称apd）是一种利用雪崩击穿原理工作的光电探测器。在高电场的作用下，光生载流子（电子和空穴）被加速，并在晶格原子中发生撞击，进而产生更多的电子-空穴对，这一过程导致载流子的数量迅速增加，从而实现了信号的显著放大。这种内部增益特性使得雪崩二极管具有极高的探测灵敏度，能够检测到非常微弱的光信号。雪崩二极管因其高灵敏度和内部增益特性，成为了现代光电探测技术中的重要组件。雪崩二极管在多个高精密领域都有广泛应用，并推动了技术的不断发展与进步。例如，在光通信领域，apd被用于长距离光纤通信系统中，能够有效提高信号接收的灵敏度和可靠性；在生物医疗领域，apd被用于高精度的生物成像和检测设备中。此外，在量子通信领域，apd也扮演了重要角色，作为单光子探测器，用于量子密钥分发和量子信息传输等技术中。
2、常见的雪崩二极管材料主要包括锗/硅（ge/si）和铟铝砷/磷化铟（inalas/inp）...
【技术保护点】
1.一种量子点雪崩光电二极管制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的量子点雪崩光电二极管制备方法，其特征在于，所述步骤S1具体实现方式为：将半绝缘GaAs衬底送入温度为500-650℃之间的MBE腔内进行高温脱氧处理，去除半绝缘GaAs衬底表面的氧化层。
3.如权利要求2所述的量子点雪崩光电二极管制备方法，其特征在于，所述步骤S2具体实现方式为：控制MBE腔内温度在600-700℃之间，在去除表面氧化层的半绝缘GaAs衬底上生长一层厚度为500nm的GaAs N型接触层，GaAs的生长速率为每秒钟0.1–1个GaAs...
【技术特征摘要】
1.一种量子点雪崩光电二极管制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的量子点雪崩光电二极管制备方法，其特征在于，所述步骤s1具体实现方式为：将半绝缘gaas衬底送入温度为500-650℃之间的mbe腔内进行高温脱氧处理，去除半绝缘gaas衬底表面的氧化层。
3.如权利要求2所述的量子点雪崩光电二极管制备方法，其特征在于，所述步骤s2具体实现方式为：控制mbe腔内温度在600-700℃之间，在去除表面氧化层的半绝缘gaas衬底上生长一层厚度为500nm的gaas n型接触层，gaas的生长速率为每秒钟0.1–1个gaas ml，掺入杂质为si，掺杂浓度在3×1018–1×1019 cm-3之间。
4.如权利要求3所述的量子点雪崩光电二极管制备方法，其特征在于， 所述步骤s3具体实现方式为：控制mbe腔内温度在500-650℃之间，在gaas n型接触层上生长一层厚度为100-200nm的低掺杂gaas n型缓冲层，gaas的生长速率为每秒钟0.1–1个gaas ml，掺入杂质为si，掺杂浓度在1×1018–3×1018 cm-3之间。
5.如权利要求4所述的量子点雪崩光电二极管制备方法，其特征在于，所述步骤s4具体实现方式为：
6.如权利要求5所述的量子点雪崩...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨骏捷，潘淑洁，付慧清，曾冬妮，
申请(专利权)人：湖南汇思光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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