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本发明提供一种半导体测试结构及半导体测试方法，半导体测试结包括：衬底，设置有阱区和多个浅沟槽隔离区，多个浅沟槽隔离区位于阱区上，阱区的底部连续；多个测量结构组，测量结构组包括待测栅极和有源区，待测栅极设置于浅沟槽隔离区的表面上，有源区设置于...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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