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本实用新型一种可减少逆向漏电流及具有低顺向压降的萧特基二极管结构，具有一第一导电性材料半导体基板及与其结合的一金属层，在第一导电性材料半导体基板与金属层结合的周缘具有一氧化层，其中，该第一导电性材料半导体基板于邻接金属层的表面内部形成有多个...
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