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本发明揭示一种包括三维NOR存储器串的存储器结构及其制造方法。在一些具体实例中，一种存储器结构包括经组织为水平NOR存储器串的可随机存取的铁电储存晶体管。所述NOR存储器串形成在薄膜储存晶体管的多个可扩缩存储器堆叠中的一半导体基板上方。所述...
该专利属于日升存储公司所有，仅供学习研究参考，未经过日升存储公司授权不得商用。

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