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本发明揭示了一种基板刻蚀方法及装置。基板刻蚀方法包括将基板浸入容纳有刻蚀溶液的处理槽中,通过刻蚀溶液对基板进行湿法刻蚀,基板表面形成有深结构;基于脉冲信号向刻蚀溶液中提供气体,用以在刻蚀溶液中产生气泡,脉冲信号的一个脉冲时间包括供气时段和间...该专利属于盛美半导体设备(上海)股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过盛美半导体设备(上海)股份有限公司授权不得商用。
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本发明揭示了一种基板刻蚀方法及装置。基板刻蚀方法包括将基板浸入容纳有刻蚀溶液的处理槽中,通过刻蚀溶液对基板进行湿法刻蚀,基板表面形成有深结构;基于脉冲信号向刻蚀溶液中提供气体,用以在刻蚀溶液中产生气泡,脉冲信号的一个脉冲时间包括供气时段和间...