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本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，方法包括：在衬底上形成多个有源结构；多个有源结构对称设置在介质墙结构的两侧，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构，介质墙结构包括第一介质墙结构和第二介质墙结构；基于多个第一有源结...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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